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Pluto-MC 等离子体涂覆(镀膜)设备

更新时间:2020-07-27

Pluto-MC 等离子体涂覆(镀膜)设备具体方法是用非聚合气体(如Ar,H2,O2,N2和空气等)对样品表面进行等离子体处理,使其表而形成活性自由基,之后利用活性自由基引发功能性单体,使其在表面进行接枝聚合

Pluto-MC 等离子体涂覆(镀膜)设备利用等离子体改性时,将试样置于特定的离子处理装置中,通过高能态的等离子轰击试样的表面,将能量传递给试样表层的分子,使试样发生热蚀、交联、降解和氧化反应,并使试样表面发生C-F键和C-C键的断裂,产生大量自由基或引进某些极性基团,从而优化试样表面的性能。

 

Pluto-MC 等离子体涂覆(镀膜)设备产品特点:

Pluto-MC利用等离子体改性时,将试样置于特定的离子处理装置中,通过高能态的等离子轰击试样的表面,将能量传递给试样表层的分子,使试样发生热蚀、交联、降解和氧化反应,并使试样表面发生C-F键和C-C键的断裂,产生大量自由基或引进某些极性基团,从而优化试样表面的性能。

等离子体对其改性的主要途径是引发表面接枝,具体方法是用非聚合气体(如Ar,H2,O2,N2和空气等)对样品表面进行等离子体处理,使其表而形成活性自由基,之后利用活性自由基引发功能性单体,使其在表面进行接枝聚合

利用沉淀反应进行表面改性,这是工业上目前应用多的方法。

产品特点:

1.    在现有设备基础上,增加涂覆组件,可升级配置

2.    高精度控制,多参数设置,可控性佳

3.    已经有成熟的应用,可提供疏水涂覆材料

4.    都有电极间距可调设计,反应程度可控,有效控制涂覆效率

5.    可根据客户需求,定制和设计工艺

 

系统组件设有储料腔、加热装置、保温装置和流量控制装置。
 储料腔设计为可拆结构,便于清洗和更换不同的原料;
 加热装置可气化反应物质,并保持一定温度;

流量控制装置对反应物进行流量控制,使气氛按需要的气量喂入到反应腔内

技术参数:

● 加液容积:10-150ml

● 温控范围:加热(室温~200℃)保温(室温~200℃)
● 流量控制:转子流量计
● 管路:多4路气体(同时可通入4种物质)

● 电源电压:交流220V

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