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等离子刻蚀机

更新时间:2021-03-22

等离子刻蚀机 提供一系列的解决方案来满足客户的生产和开发要求。通过一系列的技术的开发,SPTS能为客户提供一系列的先进的工艺,比如功率MOSFET和200mm和300mm晶圆上的端封装(3D封装和芯片级封装)。

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等离子刻蚀机

SPTS作为世界公认的深硅刻蚀和牺牲层刻蚀设备的供应商,SPTS能够提供一系列的解决方案来满足客户的生产和开发要求。通过一系列的技术的开发,SPTS能为客户提供一系列的先进的工艺,比如功率MOSFET和200mm和300mm晶圆上的端封装(3D封装和芯片级封装)。

深硅刻蚀工艺的主要过程包括:

1) 钝化处理过程(C4F8等离子体)

一阶段:由C4F8产生CFn聚合物沉淀在所有的表面

2) 刻蚀过程(SF6等离子体)

第二阶段:由于离子体的定向运动,基面上的聚合物被去除的速度要比在侧壁的去除速度快。

第三阶段:暴露的硅表面就会被F系物刻蚀掉,SF6源源不断提供等离子体,来实现高深宽比的刻蚀。

等离子刻蚀机

深硅刻蚀的主要应用包括: MEMS,先进封装(TSV),功率器件等等。

 

SPTS提供一系列的设备来满足客户研发到生产不同的要求。包括ICP-SR/SRE系列,而Pegasus则是大量生产所使用的设备。

 

Pegasus是行业先的深槽刻蚀设备,可以提供理想的刻蚀速度,但同时保证侧面特征良好控制和一致性。通过利软件“boost and delay”和利 “parameter ramping” 以及绝缘硅技术实现了高性能的工艺控制。

 

parameter ramping技术:

实时调节工艺过程参数,以达到理想的侧面轮廓。

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